NE3508M04-T2 时间：2025/7/25 17:04:27 阅读：4

NE3508M04-T2是一款由日本NEC公司（现为Renesas Electronics）制造的GaAs（砷化镓）场效应晶体管（FET），常用于射频（RF）和微波放大器应用。该器件是一款高电子迁移率晶体管（HEMT），具有出色的高频性能和低噪声特性，非常适合用于通信系统中的低噪声放大器（LNA）和前置放大器。NE3508M04-T2采用表面贴装封装（SMD），便于在高频电路中集成。该器件通常用于无线基础设施、卫星通信、雷达系统以及测试和测量设备。

参数

类型：高电子迁移率晶体管（HEMT）
　　材料：GaAs（砷化镓）
　　封装类型：表面贴装（SMD）
　　频率范围：典型工作频率可达12 GHz
　　增益：典型增益为18 dB @ 6 GHz
　　噪声系数：典型噪声系数为0.5 dB @ 6 GHz
　　输出功率：典型输出功率为100 mW @ 6 GHz
　　电源电压：典型工作电压为3.3 V
　　电流消耗：典型工作电流为40 mA
　　输入/输出阻抗：50Ω
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

NE3508M04-T2是一款专为高频、低噪声应用设计的GaAs HEMT晶体管。其主要特性包括卓越的噪声性能、高增益以及宽频率响应范围，适用于6 GHz及以下频段的无线通信系统。该晶体管的噪声系数低至0.5 dB，在高频下仍能保持优异的信号清晰度，使其成为低噪声放大器（LNA）的理想选择。此外，该器件具有良好的线性度和稳定性，能够在较高的工作频率下提供一致的性能。NE3508M04-T2的封装设计适用于表面贴装技术（SMD），简化了在印刷电路板（PCB）上的安装过程，并提高了高频应用中的可靠性和可重复性。其工作温度范围宽，支持-40°C至+85°C的工业级环境，适用于各种苛刻条件下的电子系统。

应用

NE3508M04-T2广泛应用于射频和微波通信系统中，尤其是在需要低噪声放大的场合。典型应用包括蜂窝基站、无线局域网（WLAN）、卫星通信接收器、雷达前端、测试仪器以及航空航天电子设备。该晶体管适用于UHF、L波段、S波段和部分C波段的放大器设计，能够提升接收系统的灵敏度并降低噪声干扰。由于其高稳定性和紧凑的封装，NE3508M04-T2也常用于便携式和嵌入式通信设备中的前置放大电路。