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STW75NF30 发布时间 时间:2025/7/22 14:36:44 查看 阅读:5

STW75NF30是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的高性能N沟道功率MOSFET。该器件专为高效率电源转换和电机控制应用而设计,具有低导通电阻、高电流容量和良好的热性能。STW75NF30采用TO-247封装,适用于需要高功率密度和高可靠性的应用场合。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):300V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):75A
  漏极功耗(PD):150W
  工作温度范围:-55°C至175°C
  导通电阻(RDS(on)):最大0.042Ω(在VGS=10V时)
  阈值电压(VGS(th)):2V至4V

特性

STW75NF30具有多项优异的电气和热性能,使其在多种功率应用中表现出色。首先,该器件的低导通电阻(RDS(on))可显著降低导通损耗,提高系统的整体效率。这对于电源转换器、DC-DC变换器和电池管理系统等应用尤为重要。
  其次,STW75NF30采用了先进的沟槽栅技术,提供了更高的开关速度和更低的开关损耗,使其适用于高频开关应用。此外,该器件的高电流容量(75A)和良好的热管理能力使其能够在高负载条件下稳定工作,确保系统的可靠性和稳定性。
  STW75NF30的TO-247封装不仅提供了良好的散热性能,还便于在PCB上安装和散热片连接。该封装形式广泛用于工业级功率电子设备中,具有较高的机械强度和电气绝缘性能。
  此外,STW75NF30具有良好的抗雪崩能力和过载保护特性,能够在恶劣的工作条件下提供更高的安全性和可靠性。

应用

STW75NF30广泛应用于多种功率电子系统中,包括但不限于电源转换器、DC-DC变换器、UPS系统、电机控制、工业自动化设备和电池管理系统。在电源转换器中,STW75NF30的低导通电阻和高开关速度使其成为理想的开关器件,能够有效提高转换效率并减少热量产生。
  在电机控制应用中,该MOSFET的高电流能力和快速响应特性可以提供稳定的驱动性能,适用于各种直流电机和步进电机的控制。此外,STW75NF30还可用于电池管理系统中的充放电控制,确保电池组的安全和高效运行。
  由于其优异的电气性能和可靠性,STW75NF30也常用于工业自动化设备中的功率开关和负载控制,如变频器、伺服驱动器和工业电源模块。

替代型号

IRF75N30、STW75N30、STW75NF20、STW80NF30

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STW75NF30参数

  • 其它有关文件STW75NF30 View All Specifications
  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)300V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C60A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C45 毫欧 @ 30A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs164nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5930pF @ 25V
  • 功率 - 最大320W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247-3
  • 包装管件
  • 其它名称497-8463-5