时间：2025/5/30 14:10:33
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NDT456P是一种N沟道增强型功率MOSFET，适用于高频开关应用和功率转换场景。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用领域。
NDT456P以其出色的电气性能和可靠性而著称，能够提供高效的功率传输并减少能量损耗。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：28A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷：37nC
输入电容：1040pF
工作温度范围：-55℃至150℃
NDT456P的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，可显著降低功耗。
2. 高速开关性能，支持高频操作。
3. 良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。
4. 具有高雪崩击穿能力和鲁棒性，确保在异常条件下也能正常工作。
5. 小型化封装设计，有助于节省电路板空间。
6. 符合RoHS标准，环保无铅材料。
NDT456P广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器的核心功率元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 各类负载开关和保护电路。
5. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制。
6. 工业自动化设备中的功率调节模块。
NTD456P, NDT456N
