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NDT454P 发布时间 时间:2025/6/30 9:53:40 查看 阅读:3

NDT454P是一款N沟道功率MOSFET,采用TO-220封装形式。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效能功率开关的应用场景中。
  NDT454P以其低导通电阻和快速开关速度著称,能够在高频工作条件下提供高效率和低损耗。此外,该器件具有良好的热稳定性和可靠性,适合工业级和消费级电子设备。

参数

最大漏源电压:100V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:7.3A
  导通电阻:0.22Ω
  总功耗:10W
  结温范围:-55℃至175℃
  存储温度范围:-55℃至150℃

特性

NDT454P具有以下主要特性:
  1. 低导通电阻(Rds(on)),在典型值下为0.22Ω,能够减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关速度,支持高频操作,适用于现代高效能电路设计。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性和可靠性。
  4. 热稳定性良好,能够适应广泛的温度范围,适合恶劣环境下的应用。
  5. 封装形式为标准TO-220,易于安装和散热设计。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

NDT454P通常用于以下应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC转换器中的同步整流或开关元件。
  3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
  4. 各类负载切换和保护电路。
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  6. 消费电子产品中的高效能功率转换解决方案。

替代型号

IRF540N
  STP75NF06
  FQP7P06

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NDT454P参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C50 毫欧 @ 5.9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.7V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs40nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds950pF @ 15V
  • 功率 - 最大1.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NDT454P-NDNDT454PFSTR