NDS9955是一款高性能的P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、负载开关和电池保护等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关性能,能够有效降低功耗并提升系统效率。
这款MOSFET适合在低压环境中使用,其封装形式通常为SOT-23或更小的表面贴装类型,便于在紧凑型设计中实现高效能表现。
最大漏源电压:-40V
连续漏极电流:-3.1A
导通电阻(Rds(on)):80mΩ
栅极电荷:7nC
工作温度范围:-55℃至150℃
封装形式:SOT-23
NDS9955的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,在高电流应用中可以显著减少功率损耗。
2. 快速的开关速度,使得它非常适合高频开关应用。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性和可靠性。
4. 小巧的封装形式有助于节省PCB空间,适合便携式设备。
5. 支持宽范围的工作温度,适应多种环境条件下的应用需求。
6. 符合RoHS标准,环保且满足现代电子产品的要求。
NDS9955适用于以下应用场景:
1. 电源管理模块中的负载开关。
2. 电池供电设备中的过流保护和反向电压保护。
3. 消费类电子产品的电源开关控制。
4. 移动设备中的DC-DC转换器同步整流。
5. LED驱动电路中的开关元件。
6. 各种小型化设计中的电源路径管理解决方案。
NDS9953, NDS9954, FDN340P, BSS138