您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > NDS9955

NDS9955 发布时间 时间:2025/6/9 16:26:32 查看 阅读:5

NDS9955是一款高性能的P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、负载开关和电池保护等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关性能,能够有效降低功耗并提升系统效率。
  这款MOSFET适合在低压环境中使用,其封装形式通常为SOT-23或更小的表面贴装类型,便于在紧凑型设计中实现高效能表现。

参数

最大漏源电压:-40V
  连续漏极电流:-3.1A
  导通电阻(Rds(on)):80mΩ
  栅极电荷:7nC
  工作温度范围:-55℃至150℃
  封装形式:SOT-23

特性

NDS9955的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,在高电流应用中可以显著减少功率损耗。
  2. 快速的开关速度,使得它非常适合高频开关应用。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性和可靠性。
  4. 小巧的封装形式有助于节省PCB空间,适合便携式设备。
  5. 支持宽范围的工作温度,适应多种环境条件下的应用需求。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足现代电子产品的要求。

应用

NDS9955适用于以下应用场景:
  1. 电源管理模块中的负载开关。
  2. 电池供电设备中的过流保护和反向电压保护。
  3. 消费类电子产品的电源开关控制。
  4. 移动设备中的DC-DC转换器同步整流。
  5. LED驱动电路中的开关元件。
  6. 各种小型化设计中的电源路径管理解决方案。

替代型号

NDS9953, NDS9954, FDN340P, BSS138

NDS9955推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

NDS9955资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载
  • NDS9955
  • Dual N-Channel Enhancement Mode Fiel...
  • FAIRCHILD
  • 阅览

NDS9955参数

  • 制造商Fairchild Semiconductor
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压50 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流3 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.13 Ohms
  • 配置Dual Dual Drain
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SOIC-8 Narrow
  • 封装Reel
  • 下降时间7 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散2 W
  • 上升时间7.5 ns
  • 典型关闭延迟时间20 ns