HH18N110J500CT是一款高性能的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛应用于工业控制、变频器、电机驱动和新能源领域。该器件采用了先进的沟槽栅场截止技术,具有低导通损耗和开关损耗的特点,能够有效提升系统的效率和可靠性。
HH18N110J500CT的设计注重高温环境下的稳定性和耐用性,适用于高功率密度的应用场景。
额定电压:1100V
额定电流:500A
集电极-发射极饱和电压:≤2.0V
栅极-发射极阈值电压:3.5V~5.5V
开关频率范围:高达20kHz
结温范围:-40℃~+150℃
热阻:≤0.2K/W
封装形式:CT(焊接式陶瓷底板)
HH18N110J500CT的核心特性包括:
1. 采用沟槽栅场截止技术,显著降低开关损耗和导通损耗,提高系统效率。
2. 具备优异的短路耐受能力,在极端条件下能够提供额外的保护功能。
3. 高效散热设计,确保在高结温条件下的稳定性。
4. 内置反并联二极管,优化了续流性能,减少了电磁干扰。
5. 支持高频开关操作,适合复杂的逆变器和变频器应用。
6. 陶瓷底板封装提升了电气隔离性能,同时增强了机械强度。
7. 符合RoHS标准,环保且可靠。
HH18N110J500CT适用于以下典型应用:
1. 工业变频器和伺服驱动系统。
2. 新能源发电设备,如风力发电变流器和光伏逆变器。
3. 电动汽车驱动系统中的主逆变器模块。
4. 高压直流输电(HVDC)中的功率转换电路。
5. 焊接电源和感应加热设备。
6. 大功率不间断电源(UPS)系统。
其高功率处理能力和高效性能使其成为许多大功率应用场景的理想选择。
HH18N1200J500CT, SKM500GB123D, FF500R12ME4_C2