时间：2025/12/29 14:28:02
阅读：12
NDS8858是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的高性能、高集成度的MOSFET器件，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统中。该器件采用双N沟道增强型MOSFET结构，具备低导通电阻、高效率和良好的热稳定性，适用于需要高效能和小尺寸封装的工业和消费类电子产品。
类型：双N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
连续漏极电流（ID）：8A（单个通道）
导通电阻（RDS(on)）：典型值为8.5mΩ（VGS=10V）
栅极电荷（Qg）：16nC
封装形式：PowerPAK SO-8
工作温度范围：-55°C至+150°C
NDS8858采用先进的PowerTrench?技术，具有极低的导通电阻，从而减少导通损耗，提高系统效率。其双通道结构允许在同步整流、H桥驱动和双向负载开关等应用中使用单一器件，节省PCB空间并提高集成度。
NDS8858的栅极驱动电压范围为4.5V至20V，兼容多种控制电路，包括PWM控制器和微处理器输出。该器件具有良好的热管理能力，在高电流负载下仍能保持稳定运行。
此外，NDS8858具备优异的雪崩能量耐受能力和过热保护特性，增强了器件在严苛环境下的可靠性和寿命。其封装采用无铅设计，符合RoHS环保标准。
NDS8858广泛应用于各种电源管理领域，如笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携设备的电源转换系统；服务器、网络设备和通信设备的高效DC-DC转换器；电机驱动、LED背光驱动和电池充电管理电路；以及智能电表、工控设备和消费类电子产品中的负载开关与功率控制。
Si9410BDY, FDS6680, NDS8859, AO4407
