时间：2025/5/10 16:33:28
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NDS356P-NL 是一款增强型 P 沟道功率 MOSFET，采用 SOT-23 封装形式。该器件广泛应用于便携式设备、电源管理电路和负载开关等领域，适合低电压应用场合。其优异的导通电阻特性能够有效降低功耗并提升效率，同时具有快速开关特性和较低的栅极电荷，非常适合电池供电设备。
这款 MOSFET 的主要特点是低导通电阻（Rds(on)）和小封装尺寸，使其成为空间受限设计的理想选择。
最大漏源电压：20V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：1.9A
导通电阻（Rds(on)）：0.75Ω（典型值，在 Vgs=-4.5V 下测得）
栅极电荷：6nC（典型值）
总功耗：360mW
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
1. 低导通电阻（Rds(on)），有助于降低导通损耗。
2. 小型 SOT-23 封装，节省 PCB 空间。
3. 快速开关性能，适用于高频开关应用。
4. 高静电放电（ESD）防护能力，提高系统可靠性。
5. 工作温度范围广，适应多种环境条件。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅工艺。
1. 手机和平板电脑中的负载开关。
2. 电池供电设备中的电源管理。
3. 电机驱动和小型 DC/>4. 保护电路中的过流保护功能。
5. 低压降二极管替代方案。
6. 可携式电子设备中的开关和调节器应用。
NDS356APNL, NDS356ATN, FDN340P, AO3401A
