NDS356AP-NB8L005A是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率开关器件,专为高频、高效率应用场景设计。它采用增强型GaN晶体管结构,能够提供更低的导通电阻和更快的开关速度,从而减少能量损耗并提升系统性能。该器件通常应用于电源管理领域,如DC-DC转换器、电池充电器和通信电源等。
由于其出色的电气特性,NDS356AP-NB8L005A适用于要求高能效和小型化设计的场合,同时支持更高的工作频率,可有效减小外部元件体积。
额定电压:650V
连续漏极电流:1.9A
导通电阻:120mΩ
栅极电荷:4nC
反向恢复时间:无反向恢复
结温范围:-55℃至+150℃
封装形式:SOT-89
1. 基于增强型氮化镓技术,具备超低导通电阻和高击穿电压特性。
2. 支持高达数MHz的开关频率,显著优于传统硅基MOSFET器件。
3. 内置保护功能,包括过流保护和静电放电(ESD)防护能力。
4. 无需额外驱动电路,简化了系统设计复杂度。
5. 高热稳定性,能够在宽广的工作温度范围内保持性能一致性。
6. 紧凑型封装设计,有助于实现更小尺寸的终端产品。
1. 开关电源(SMPS)中的高频DC-DC转换器。
2. 消费器。
3. 数据中心和电信设备中的高效电源模块。
4. 太阳能微型逆变器及能量存储系统的功率转换部分。
5. LED驱动器和其他需要高性能功率开关的应用场景。
NDS356AP, EPC2016C, Infineon GAET65T6D