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NDS356AP-NB8L005A 发布时间 时间:2025/6/3 14:22:39 查看 阅读:3

NDS356AP-NB8L005A是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率开关器件,专为高频、高效率应用场景设计。它采用增强型GaN晶体管结构,能够提供更低的导通电阻和更快的开关速度,从而减少能量损耗并提升系统性能。该器件通常应用于电源管理领域,如DC-DC转换器、电池充电器和通信电源等。
  由于其出色的电气特性,NDS356AP-NB8L005A适用于要求高能效和小型化设计的场合,同时支持更高的工作频率,可有效减小外部元件体积。

参数

额定电压:650V
  连续漏极电流:1.9A
  导通电阻:120mΩ
  栅极电荷:4nC
  反向恢复时间:无反向恢复
  结温范围:-55℃至+150℃
  封装形式:SOT-89

特性

1. 基于增强型氮化镓技术,具备超低导通电阻和高击穿电压特性。
  2. 支持高达数MHz的开关频率,显著优于传统硅基MOSFET器件。
  3. 内置保护功能,包括过流保护和静电放电(ESD)防护能力。
  4. 无需额外驱动电路,简化了系统设计复杂度。
  5. 高热稳定性,能够在宽广的工作温度范围内保持性能一致性。
  6. 紧凑型封装设计,有助于实现更小尺寸的终端产品。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的高频DC-DC转换器。
  2. 消费器。
  3. 数据中心和电信设备中的高效电源模块。
  4. 太阳能微型逆变器及能量存储系统的功率转换部分。
  5. LED驱动器和其他需要高性能功率开关的应用场景。

替代型号

NDS356AP, EPC2016C, Infineon GAET65T6D

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NDS356AP-NB8L005A参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.1A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)200 毫欧 @ 1.3A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)4.4 nC @ 5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)280 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)500mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23-3
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3