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IRFR2405TRPBF 发布时间 时间:2025/5/27 16:30:58 查看 阅读:10

IRFR2405TRPBF是英飞凌(Infineon)生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-263-3L封装形式,适用于高频开关电源、DC/DC转换器以及电机驱动等应用场合。
  IRFR2405TRPBF以其低导通电阻和高效率而闻名,非常适合需要高效能和良好散热性能的设计场景。

参数

最大漏源电压:55V
  最大连续漏极电流:59A
  最大栅极源极电压:±20V
  导通电阻(典型值):4.8mΩ
  总功耗:175W
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

IRFR2405TRPBF是一款高性能的功率MOSFET,具有以下特点:
  1. 低导通电阻(Rds(on)),能够显著降低传导损耗,提升系统效率。
  2. 高峰值电流能力,使其适合大功率应用场景。
  3. 快速开关速度,有助于减少开关损耗。
  4. 良好的热性能,确保在高温环境下的可靠运行。
  5. 封装设计紧凑且坚固,方便安装和维护。
  这些特性使IRFR2405TRPBF成为各类功率转换和控制应用的理想选择。

应用

IRFR2405TRPBF广泛应用于多种电力电子设备中,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC/DC转换器
  3. 电机驱动
  4. 工业逆变器
  5. 电池管理系统(BMS)
  6. 电动工具和家用电器中的功率控制电路
  由于其优异的性能和可靠性,这款MOSFET特别适合要求高效率和高功率密度的应用场景。

替代型号

IRFZ44N, IRFZ48N

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IRFR2405TRPBF参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C56A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C16 毫欧 @ 34A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs110nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2430pF @ 25V
  • 功率 - 最大110W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRFR2405PBFTRIRFR2405TRPBF-NDIRFR2405TRPBFTR-ND