时间：2025/8/24 22:14:39
阅读：8
NDS355A 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要用于高电流、高效率的功率转换和开关应用，具备良好的导通电阻和开关特性，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制等场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：20V
最大连续漏极电流（Id）：100A
导通电阻（Rds(on)）：@4.5V=4.75mΩ（典型值）
功耗（Pd）：250W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-252（DPAK）
NDS355A 采用先进的沟槽式功率 MOSFET 技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)），这使得在大电流工作条件下，器件的导通损耗显著降低，从而提高了系统的整体效率。其最大漏极电流可达 100A，适用于高功率密度设计。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，可在 4.5V 至 20V 之间正常工作，使其兼容多种控制电路设计，包括使用 5V 微控制器或专用驱动 IC 的系统。此外，NDS355A 的热阻较低，有助于在高负载下保持良好的热稳定性。
该 MOSFET 具有良好的抗雪崩能力，增强了在高能脉冲或感性负载切换时的可靠性。封装采用 TO-252（DPAK）形式，适合表面贴装工艺，便于散热设计和 PCB 布局，同时具备良好的机械稳定性和热传导性能。
由于其高耐流能力和优异的导通性能，NDS355A 广泛应用于同步整流、DC-DC 转换器、电池管理系统、电机驱动器以及各种工业控制和电源管理系统中。
NDS355A 主要用于需要高电流能力和低导通损耗的功率电子系统中。典型应用包括但不限于：同步整流器、DC-DC 降压/升压转换器、负载开关、电机驱动电路、电池充电管理系统、服务器电源、工业控制设备、电源模块以及各种高功率便携式设备的电源管理单元。
Si4410BDY, IRF1010E, FDP6670, NDS351AN
