时间：2025/6/17 9:24:34
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NDS336P是一种高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于多种开关和功率管理应用。该器件采用小尺寸封装，具有较低的导通电阻和较高的切换速度，能够有效降低功耗并提高系统效率。
这种MOSFET通常被用于消费电子、工业控制以及通信设备中的电源开关、负载开关和DC-DC转换器等场景。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：6A
导通电阻：75mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：8nC（典型值）
总电容：220pF（输入电容，典型值）
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：SOT-23
NDS336P的主要特性包括：
1. 低导通电阻：在Vgs为10V时，其典型导通电阻仅为75mΩ，这使得它非常适合需要高效能的应用。
2. 快速开关性能：较小的栅极电荷（8nC）确保了快速的开启和关闭时间，从而减少了开关损耗。
3. 小尺寸封装：使用SOT-23封装，便于在空间受限的设计中部署。
4. 高电流能力：尽管封装小巧，但可以支持高达6A的连续漏极电流。
5. 宽工作温度范围：从-55℃到+150℃的工作温度范围使其适应各种环境条件。
NDS336P广泛应用于以下领域：
1. 消费电子产品中的负载开关和电源开关。
2. 各种类型的DC-DC转换器设计。
3. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
4. 工业自动化与控制设备中的信号调节和保护电路。
5. 电池供电设备中的功率管理功能。
6. 通信设备中的电源管理模块。
NDS356AP, BSS138, FDN340P
