时间：2025/5/22 23:24:44
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NDS335N-NL是一种N沟道增强型MOSFET晶体管，采用SOT-23封装形式。该器件主要用于需要低功耗和高效率的开关应用中。它具有较低的导通电阻以及较高的开关速度，能够满足便携式设备、消费类电子产品和其他低功率应用的需求。
由于其小型化的封装和优良的电气性能，NDS335N-NL被广泛应用于各种电源管理电路、负载开关、DC-DC转换器以及其他需要高效能开关的场合。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
最大持续漏电流(Id)：270mA
导通电阻(Rds(on))：1.6Ω（在Vgs=4.5V时）
总功耗(Ptot)：380mW
工作温度范围(Ta)：-55℃ to +150℃
NDS335N-NL具有以下主要特点：
1. 极低的导通电阻确保了高效的电流传输，从而减少了能量损耗。
2. 高开关速度使其适用于高频操作环境。
3. 小巧的SOT-23封装适合于空间受限的应用场景。
4. 良好的热稳定性，在较宽的工作温度范围内保持一致的性能表现。
5. 静电放电(ESD)保护设计提高了器件的可靠性。
NDS335N-NL可以用于多种电子应用领域：
1. 手机和平板电脑等便携式设备中的电源管理。
2. 各种类型的DC-DC转换器和开关模式电源(SMPS)。
3. 负载开关和电池保护电路。
4. 消费类电子产品中的信号切换与处理。
5. 一般用途的小信号开关和放大电路。
NDS336AN, BSS138, 2SK2902
