时间：2025/12/29 14:48:26
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NDP7061L 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效能功率转换和开关应用设计。该器件采用先进的 PowerTrench? 技术，以实现低导通电阻（Rds(on)）和卓越的热性能，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场景。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极电流 (Id)：6.1A
漏极-源极击穿电压 (Vds)：30V
栅极-源极电压 (Vgs)：±20V
导通电阻 (Rds(on))：@4.5V = 20mΩ（最大值）
功率耗散 (Pd)：3.5W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：PowerPAK SO-8
NDP7061L 的核心特性之一是其极低的导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高系统效率。在 4.5V 的栅极驱动电压下，Rds(on) 的最大值仅为 20mΩ，使其适用于高电流应用。此外，该器件采用了安森美半导体的 PowerTrench? 技术，该技术通过优化沟道结构来提升性能，同时降低开关损耗。
另一个重要特性是其出色的热管理能力。NDP7061L 采用 PowerPAK SO-8 封装，具有优异的热阻性能，能够有效散热，从而在高负载条件下保持稳定运行。该封装还支持表面贴装技术（SMT），适用于自动化生产流程。
NDP7061L 的栅极驱动电压范围较宽，支持 1.8V 至 4.5V 的逻辑电平输入，因此可以与多种控制器和驱动器兼容，包括低电压微控制器。这种灵活性使其在嵌入式系统和电源管理应用中表现出色。
该器件的高可靠性也是其优势之一。NDP7061L 设计用于在恶劣环境下运行，具备良好的抗静电能力和过温保护特性。其工作温度范围为 -55°C 至 175°C，适合工业级和汽车级应用。
NDP7061L 被广泛应用于多种电力电子系统中，特别是在需要高效功率转换和低导通损耗的场合。例如，在 DC-DC 转换器中，NDP7061L 可作为主开关或同步整流器，用于提高转换效率并减少热量产生。此外，该器件也常用于负载开关电路中，以实现对电源的快速控制和隔离。
在电机控制应用中，NDP7061L 可作为 H 桥中的开关元件，控制电机的方向和速度。其低导通电阻和高电流能力使其在高功率电机驱动中表现出色。同时，该器件也适用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制，确保电池的安全和高效运行。
NDP7061L 还可用于 LED 驱动器和电源适配器等消费类电子产品中，提供稳定的功率控制。其紧凑的 PowerPAK SO-8 封装使其适合空间受限的设计，同时保持良好的热性能。
Si2302DS, AO4406, FDS6675
