型号：CL43B224KBFNNNE
　　制造商：KEMET
　　电容值：0.22μF (224)
　　容差：±10%
　　额定电压：50V DC
　　电介质类型：C0G (NP0)
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装/尺寸：0805 (2012 公制)
　　温度系数：0 ±30ppm/°C
　　安装类型：表面贴装 (SMD)
　　产品等级：工业级
　　是否无铅：是
　　是否符合RoHS：是

CL43B224KBFNNNE所采用的C0G（NP0）电介质材料赋予了其卓越的电气稳定性，这是其最核心的优势之一。C0G材料是一种Class 1陶瓷电介质，具有近乎线性的温度系数，其电容值随温度的变化不超过±30ppm/°C，在-55°C到+125°C的整个工作温度范围内能够保持高度一致的性能表现。这意味着无论是在极端低温还是高温环境下，该电容器都能维持精确的电容值，不会因温度波动而导致电路参数漂移，特别适合用于需要长期稳定运行的精密电子设备。
　　此外，该器件具有极低的介质损耗，典型的耗散因子（DF）小于0.1%，这使得它在高频应用场景下表现出色，能量损失极小，非常适合用作射频匹配网络、LC谐振回路和高Q值滤波器中的关键元件。同时，由于C0G材料本质上是非铁电性的，因此不存在压电效应或电压系数导致的电容非线性变化，即使在施加直流偏压的情况下，其电容值也几乎不发生变化，这一点远优于X7R、Y5V等Class 2电介质电容。
　　CL43B224KBFNNNE还具备优异的频率响应特性，其自谐振频率较高，能够在数百MHz甚至GHz级别的频段内保持有效的去耦和滤波功能。结构上采用多层堆叠工艺，不仅提高了单位体积的电容密度，同时也降低了等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR），进一步增强了高频性能。该器件采用坚固的陶瓷体结构，具备良好的机械强度和抗湿性，并通过了严格的工业级可靠性测试，包括耐焊接热、温度循环和湿度寿命试验。部分批次还具备抗硫化设计，能够在含硫气氛（如工业空气污染环境）中长期使用而不发生内部电极氧化失效，显著提升了产品在恶劣环境下的使用寿命和可靠性。

CL43B224KBFNNNE广泛应用于对稳定性和可靠性要求极高的电子系统中。在射频（RF）和无线通信领域，常用于匹配网络、天线调谐电路、功率放大器输出滤波以及低相位噪声振荡器中，利用其稳定的电容值和低损耗特性来保证信号传输的准确性和效率。在精密模拟电路中，如高精度ADC/DAC参考电压滤波、有源滤波器、积分器和定时电路中，该电容能有效防止因温度或电压变化引起的误差积累，从而提升系统的整体精度。此外，它也常见于医疗电子设备、航空航天电子模块、工业控制单元和高端测试测量仪器中，这些领域对元器件的长期稳定性、可预测性和环境适应性有着严苛的要求。
　　由于其0805封装尺寸兼顾了焊接便利性与空间利用率，该器件也适用于自动化贴片生产线，广泛用于消费类高端电子产品，例如智能手机、平板电脑中的音频路径滤波或时钟电路去耦。在电源管理电路中，虽然其容量相对较小，但仍可用于低压差稳压器（LDO）输入/输出端的高频去耦，以抑制开关噪声干扰。另外，在汽车电子系统中，尽管并非专为AEC-Q200认证设计，但在非动力总成类的车身控制模块、信息娱乐系统或传感器接口电路中也有应用实例，尤其是在需要避免电容老化或参数漂移影响信号完整性的场合。总体而言，凡是对电容稳定性、线性度和高频性能有较高要求的应用场景，CL43B224KBFNNNE都是一个值得信赖的选择。

C0805C224K5RACTU
　　GRM21BR71H224KA01
　　CL21B224KBANNNC
　　VJ0805Y224KXACW1