时间：2025/12/29 14:13:31
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NDP506A是一款由Nexperia（原飞利浦半导体部门）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统中。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特点，能够在较高的开关频率下运行，同时保持较低的开关损耗。NDP506A采用SOT223封装，具备良好的热性能和较小的封装体积，适用于空间受限的高密度电路设计。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：5.3A（在Vgs = 10V）
导通电阻（Rds(on)）：最大70mΩ（在Vgs = 10V）
阈值电压（Vgs(th)）：1.0V～2.5V
功耗（Ptot）：1.5W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装：SOT223
NDP506A具有多项优异的电气和热性能。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。其次，该器件采用Trench沟槽技术，使其在保持小尺寸的同时实现更高的电流处理能力。
此外，NDP506A具备良好的热稳定性，SOT223封装提供了有效的散热路径，确保在高负载条件下仍能稳定工作。其较高的栅极阈值电压允许使用标准逻辑电平驱动，简化了与微控制器或PWM控制器的接口设计。
该MOSFET还具备较强的耐用性和抗过载能力，能够在短时间过载或瞬态条件下保持稳定运行。此外，其封装设计符合RoHS环保标准，适合用于工业级和消费类电子产品中。
NDP506A广泛应用于多个领域，包括但不限于：电源管理模块中的DC-DC降压/升压转换器、电机驱动电路、电池充电管理电路、负载开关控制、LED驱动电路以及各种中低功率的开关电源系统。由于其封装小巧且导热性能良好，也适用于需要高效能和紧凑布局的便携式设备中。
Si4406ADY, AO4406A, FDS4410A, NDP6020P
