时间：2025/12/29 14:55:33
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NDP5060 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率电源转换和功率管理应用，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性等特点。NDP5060 通常采用 DPAK 或 TO-252 封装形式，适用于中高功率负载的开关控制，例如 DC-DC 转换器、电机驱动器、电池充电器和电源管理系统。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：60V
最大漏极电流（ID）：100A（在 VGS=10V 时）
导通电阻（RDS(on)）：约 3.5mΩ（典型值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：1.5V ~ 3.0V
最大功耗（PD）：125W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：DPAK（TO-252）
NDP5060 的主要特性之一是其极低的导通电阻 RDS(on)，这使得在高电流工作条件下可以显著降低功率损耗，提高系统效率。
该器件采用了先进的沟槽技术，优化了开关性能，减少了开关损耗，从而适用于高频开关电源和电机控制应用。
NDP5060 还具备良好的热稳定性和过温保护能力，能够在高温环境下稳定运行。
其栅极驱动电压范围较宽，通常可在 4.5V 至 20V 之间工作，兼容多种驱动电路设计，如专用的 MOSFET 驱动 IC 或微控制器直接驱动。
此外，该 MOSFET 具有较高的雪崩能量承受能力，增强了器件在突发过压或感性负载切换时的可靠性。
封装方面，NDP5060 使用的是 TO-252（DPAK）封装，具备良好的散热性能和机械强度，适合工业级和汽车级应用环境。
NDP5060 广泛应用于各种电力电子系统中，特别是在需要高效率和大电流能力的场合。
常见的应用包括 DC-DC 升压/降压转换器、同步整流电路、电池管理系统（BMS）、电动工具和电动车控制器中的电机驱动电路。
它也常用于电源管理系统中的负载开关，例如在服务器、通信设备和工业自动化设备中控制高功率负载的通断。
此外，该 MOSFET 可用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）和储能系统中的功率转换模块，提高系统的整体效率和稳定性。
由于其良好的热性能和高可靠性，NDP5060 也适用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统和车身控制模块等。
SiHH50N60E、FDD50N60、NDP6060、IPD50N60C4
