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NDFH018 发布时间 时间:2025/6/30 12:53:11 查看 阅读:2

NDFH018是一款高性能的NMOS场效应晶体管,广泛应用于开关和放大电路中。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等优点,适用于各种电子设备中的功率管理应用。
  其封装形式为SOT-23,这种小型化封装使其非常适合空间受限的设计环境。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±12V
  连续漏极电流:0.4A
  导通电阻:0.9Ω
  总功耗:370mW
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

NDFH018具有较低的导通电阻,能够有效降低功率损耗,并提高整体系统效率。
  同时,该器件具备快速的开关速度,可满足高频应用需求。
  此外,它还拥有优异的热稳定性和抗静电能力(ESD),确保在复杂环境下也能可靠运行。
  NDFH018的小型SOT-23封装设计,使它成为便携式电子设备的理想选择。

应用

NDFH018主要应用于消费类电子产品、通信设备及工业控制领域。
  具体应用场景包括电源管理模块、负载开关、信号调节器以及音频放大器等。
  由于其出色的性能表现,该器件特别适合用于移动设备、智能家居产品以及其他需要高效能与小尺寸解决方案的应用场合。

替代型号

NDFH019
  BSS138
  AO3400

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