时间:2025/12/26 21:04:21
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209CMQ135是一款由Vishay Semiconductors生产的表面贴装肖特基势垒整流器,专为高效率、低电压应用设计。该器件采用紧凑的PowerMITE封装(SMA),具有良好的热性能和电流处理能力,适用于空间受限但要求较高功率密度的应用场景。209CMQ135的核心技术基于肖特基势垒原理,利用金属-半导体结实现单向导电性,相较于传统的PN结二极管,其正向压降低、开关速度快、反向恢复时间极短,从而显著减少导通损耗和开关损耗,在高频开关电源中表现出优越的能效特性。该器件额定最大重复峰值反向电压(VRRM)为135V,平均整流电流(IF(AV))可达9A,浪涌电流承受能力强,具备较高的可靠性。由于其出色的电气性能和坚固的封装结构,209CMQ135广泛应用于DC-DC转换器、逆变器、续流与箝位电路以及极性保护等场合。此外,该器件符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适应现代电子产品对环保和制造兼容性的严格要求。
器件类型:肖特基势垒二极管
配置:单个
最大重复峰值反向电压 VRRM:135V
最大直流阻断电压 VR:135V
最大平均整流电流 IF(AV):9A
峰值正向浪涌电流 IFSM:40A
最大正向电压 VF @ IF=9A:1.15V
最大反向漏电流 IR @ 25°C:100μA
最大反向漏电流 IR @ 125°C:1.0mA
工作结温范围 TJ:-65°C 至 +175°C
存储温度范围 TSTG:-65°C 至 +175°C
封装/外壳:PowerMITE (SMA)
安装类型:表面贴装 (SMD)
引脚数量:2
热阻 RθJA:40°C/W
热阻 RθJC:1.5°C/W
209CMQ135具备优异的电学与热学特性,使其在高频率、高效率电源系统中表现卓越。其核心优势在于采用了先进的肖特基势垒技术,实现了极低的正向导通压降,典型值在9A电流下仅为1.15V,显著降低了导通期间的能量损耗,提高了整体系统效率。这对于电池供电设备或追求节能设计的工业电源尤为重要。同时,由于肖特基二极管没有少数载流子存储效应,其反向恢复时间几乎可以忽略不计,极大地减少了开关过程中的动态损耗,避免了传统快恢复二极管常见的电压尖峰和电磁干扰问题,提升了系统的稳定性和EMI性能。
该器件采用PowerMITE(SMA)封装,是一种经过优化的小型化表面贴装封装,具备优良的散热能力。其低热阻RθJC(1.5°C/W)确保热量能够高效地从PN结传导至PCB,防止局部过热导致性能下降或失效,从而支持持续大电流工作。此外,该封装机械强度高,抗热循环疲劳能力强,适合自动化贴片生产流程,并兼容回流焊工艺,包括无铅焊接,满足现代绿色制造的需求。209CMQ135的工作结温范围宽达-65°C至+175°C,能够在极端高低温环境下稳定运行,适用于汽车电子、工业控制等严苛应用环境。
在可靠性方面,该器件通过了严格的可靠性测试,具有低反向漏电流特性,在常温下最大仅为100μA,即使在高温125°C时也控制在1.0mA以内,保证了在高温工况下的低静态功耗和稳定性。其高达40A的峰值浪涌电流能力,使其能够承受启动瞬间或负载突变时的瞬态大电流冲击,增强了系统鲁棒性。总体而言,209CMQ135结合了高性能、高可靠性和紧凑尺寸,是现代高效电源拓扑中理想的整流与续流元件选择。
209CMQ135广泛应用于各类需要高效、快速响应整流功能的电力电子系统中。常见应用场景包括开关模式电源(SMPS),尤其是在低压输出的AC-DC和DC-DC转换器中作为次级侧整流二极管使用,利用其低VF特性提升转换效率。在同步整流普及之前,此类高电流肖特基二极管是实现高效率低压大电流输出的关键元件。此外,它也被用于反激式、正激式和推挽式拓扑结构中的续流与箝位电路,有效抑制电感元件在开关关断时产生的反电动势,保护主开关器件如MOSFET或IGBT。
在便携式电子设备如笔记本电脑、平板电脑和通信基站的板级电源模块中,209CMQ135因其小型化封装和高功率密度而备受青睐。它同样适用于服务器电源、LED驱动电源以及太阳能微逆变器等绿色能源系统中,帮助提升能效并满足日益严格的能效标准。在汽车电子领域,该器件可用于车载充电器(OBC)、DC-DC变换器以及辅助电源单元,得益于其宽温工作范围和高可靠性,能够适应车辆运行中的复杂热环境和振动条件。
此外,209CMQ135还可用于电机驱动电路中的自由轮续流路径,防止感性负载断开时产生高压击穿,也可作为极性反接保护元件,防止因电源接反而损坏后续电路。其高浪涌电流承受能力使其特别适合存在频繁启停或负载波动的应用场景。综上所述,209CMQ135凭借其综合性能优势,成为多种中等电压、大电流整流需求下的主流解决方案之一。
VS-209CMQ135-M3
SS135-TP
MBR935M
SBM1045CT