NDFG018是一款高性能的MOSFET驱动芯片,主要应用于开关电源、电机驱动和逆变器等领域。该芯片具有高效率和低功耗的特点,能够有效驱动外部MOSFET或IGBT,并提供多种保护功能以确保系统稳定运行。
该芯片内置了死区时间控制、过流保护、欠压锁定以及短路保护等功能模块,极大地增强了系统的可靠性和安全性。其设计支持宽电压输入范围,适用于多种复杂的工作环境。
输入电压范围:4.5V - 28V
最大输出电流:2A
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
封装形式:SOIC-8
驱动能力:NMOS和PMOS
静态功耗:小于1μA
延迟时间:典型值25ns
NDFG018采用先进的互补输出架构,支持高效的高低边驱动应用。其内部集成的自举二极管可简化电路设计并减少外围元件数量。
芯片具备完善的保护机制,例如逐周期限流、热关断以及输入滤波等,能够显著提升系统的鲁棒性。
此外,NDFG018还支持PWM信号输入,便于实现精确的占空比控制。其快速的开关速度可以优化效率,同时降低电磁干扰(EMI)。
该芯片还支持可调的死区时间,允许用户根据实际需求灵活配置,从而进一步改善性能。
NDFG018广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于以下场景:
- 开关电源中的同步整流驱动
- 直流无刷电机驱动控制器
- 太阳能逆变器及功率变换模块
- LED驱动器
- 汽车电子中的电池管理系统
- 各类工业自动化设备中的电源转换电路
NDFG019, IR2110, TC4420