时间：2025/5/9 18:20:41
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NDF04N60ZG是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压和高频开关应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度，能够显著提高系统效率并降低功耗。
这款芯片主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器等场景，其优异的电气性能和可靠性使其成为工业和消费电子领域的重要选择。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：4.3A
导通电阻：1.4Ω
栅极电荷：28nC
总电容：950pF
工作结温范围：-55℃至175℃
NDF04N60ZG采用了超结技术，从而实现了更低的导通电阻和更高的效率。同时，它具备以下特点：
1. 低导通电阻，减少功率损耗。
2. 快速开关特性，适合高频应用。
3. 高击穿电压，确保在高压环境下稳定运行。
4. 良好的热稳定性，适应极端温度环境。
5. 小型封装设计，节省PCB空间。
这些特性使得该器件非常适合用于需要高效能和紧凑设计的应用场合。
NDF04N60ZG广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. 逆变器
3. 电机驱动
4. LED照明驱动
5. 工业控制设备
6. 电信电源
由于其高电压和高效率的特点，该芯片在各类电力转换和控制系统中表现出色。
NDF04N60TG, IRFZ44N, FQP17N60
