类型：PNP型晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：100V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功率耗散（PD）：300mW
　　频率响应（fT）：100MHz
　　封装类型：TO-92
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

NDC652PCT-ND 具备优异的温度稳定性和低噪声特性，适用于高精度模拟电路和高频开关应用。该晶体管的增益（hFE）在不同电流条件下表现稳定，确保信号传输的可靠性。
　　此外，其紧凑的TO-92封装设计，使其易于集成于各类PCB布局中，适用于空间受限的设计场景。由于其100V的VCEO电压额定值，该晶体管可在较高电压环境下安全运行，避免因电压波动而导致的损坏。
　　在制造工艺上，NDC652PCT-ND采用了高质量的硅材料和先进的封装技术，确保了长期工作的稳定性和耐用性。其低饱和压降（VCE(sat)）特性也使其在开关应用中具有较低的功耗，提高整体系统的能效。
　　对于设计人员来说，该晶体管的电气参数具有良好的一致性，便于进行电路仿真和实际应用中的调试。其广泛的工作温度范围也适用于工业级和汽车电子等严苛环境下的应用。

NDC652PCT-ND 常用于以下应用领域：
　　1. 模拟信号放大电路：如音频放大器和传感器信号调理电路。
　　2. 开关电路：适用于数字逻辑电路和继电器驱动电路。
　　3. 电源管理：如DC-DC转换器和稳压电路中的控制元件。
　　4. 工业自动化：用于工业控制系统的信号处理和驱动电路。
　　5. 汽车电子：应用于车载电子设备中的电源调节和信号控制。
　　6. 通信设备：用于射频信号放大和调制解调电路。

BC556, 2N3906, PN2907