时间：2025/8/24 14:57:24
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NDB708AE 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管系列。该器件专为高性能开关和放大应用而设计，适用于广泛的模拟和数字电路中。NDB708AE 是基于硅材料制造，具有良好的热稳定性和高频响应能力，适合在高可靠性要求的环境中使用。其封装形式为TO-92，便于手工焊接和PCB布局。该晶体管在工业自动化、电源管理、信号放大等领域具有广泛应用。
类型：NPN型晶体管
最大集电极电流（Ic）：100mA
最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
最大功耗（Ptot）：300mW
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-92
增益带宽积（fT）：100MHz
电流增益（hFE）：在Ic=2mA时为110至800（根据等级划分）
NDB708AE 具有多个显著的电气和物理特性，使其在多种电子电路中表现出色。首先，该晶体管的最大集电极电流为100mA，能够满足中等功率级别的应用需求。其集电极-发射极电压和集电极-基极电压均达到30V，具有较高的电压承受能力，适用于较高电压的电路设计。
其次，NDB708AE 的电流增益（hFE）在Ic=2mA时可达110至800，具体数值根据器件等级不同而有所变化。这种高增益特性使其在信号放大电路中表现优异，能够有效放大微弱信号并提高电路的整体性能。
NDB708AE 广泛应用于多种电子电路和系统中，主要包括以下几个方面：
2N3904, BC547, 2N2222, PN2222, MPS2222
