时间：2025/12/29 14:28:33
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NDB7051L是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效能和高可靠性的场合。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高电流处理能力，适合用于电源管理和电机控制等领域。NDB7051L封装为DFN5x6，这种封装形式有助于提高散热性能和空间利用率。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：60A
导通电阻(Rds(on))：8.5mΩ @ Vgs=10V, 4.7mΩ @ Vgs=16V
工作温度：-55°C 至 175°C
封装：DFN5x6
NDB7051L具有极低的导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高整体效率。其导通电阻在Vgs=10V时为8.5mΩ，在Vgs=16V时进一步降低至4.7mΩ，这种特性使得该器件在高电流应用中表现出色。此外，该MOSFET具备高电流处理能力，能够在持续工作条件下承载高达60A的漏极电流。
NDB7051L的封装形式为DFN5x6，这种小型化封装不仅节省空间，还提高了热性能，使得器件能够更有效地散热。其工作温度范围从-55°C到175°C，表明其在极端环境条件下依然能够保持稳定运行。
该MOSFET还具有良好的热稳定性和耐用性，适用于各种高要求的应用场景。其栅源电压范围为±20V，提供了更高的操作灵活性和可靠性。这些特性共同确保了NDB7051L在高性能电源管理系统中的广泛应用。
NDB7051L通常用于高性能电源管理系统，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统。此外，它还广泛应用于电机控制、工业自动化设备以及汽车电子系统中。由于其高效率和可靠性，该器件特别适合需要高功率密度和高效能的应用。
NDS7051L,NDB7051L的替代型号包括NDS7051L，该型号具有相似的电气特性和封装形式，适用于相同的电路设计。
