时间：2025/4/29 14:17:33
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DMN3032LE-13 是一款 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET，采用 SOT-23-3 封装。该器件适用于低电压、高效率开关应用场合，其超低的导通电阻和快速开关能力使其非常适合电池供电设备及空间受限的应用场景。
这款 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，能够兼容多种逻辑电平信号，从而简化了电路设计并提高了系统的可靠性。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：3.2A
导通电阻（典型值）：50mΩ
栅极阈值电压：1.2V
总功耗：420mW
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装类型：SOT-23-3
DMN3032LE-13 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 宽范围的栅极驱动电压兼容性，支持 1.8V、2.5V 和 3.3V 的逻辑电平。
3. 快速开关性能，减少了开关损耗。
4. 小尺寸 SOT-23-3 封装，适合紧凑型设计。
5. 高可靠性与稳定性，能够在极端温度范围内正常工作。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子产品中。
DMN3032LE-13 广泛应用于各种低功率电子设备中，包括但不限于：
1. 移动设备中的负载开关和电源管理。
2. USB 端口保护和小型 DC/DC 转换器。
3. 便携式设备中的电池管理与充电控制。
4. 工业控制和消费类电子产品中的信号切换。
5. 电机驱动和继电器替代方案。
6. LED 驱动和背光调节。
由于其出色的效率和小尺寸，它特别适合需要节省空间和降低功耗的应用场景。
DMN2997UF-13, DMN2998UF-7, BSS138
