时间：2025/8/24 18:22:29
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NDB508BE 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率开关应用。该器件具有低导通电阻、高效率和良好的热性能，适用于各种需要高效能开关操作的电路设计。
类型：N沟道
最大漏源电压（Vds）：500V
最大漏极电流（Id）：8A
导通电阻（Rds(on)）：典型值为1.2Ω
栅极电荷（Qg）：15nC
最大功耗（Pd）：50W
封装形式：TO-220
工作温度范围：-55°C 至 150°C
NDB508BE 的主要特性包括其低导通电阻，有助于降低功率损耗并提高整体系统效率。该器件的高耐压能力使其适用于高压应用，同时具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。此外，NDB508BE 具有较低的栅极电荷，使得其在高频开关应用中表现出色，减少开关损耗。其 TO-220 封装形式便于安装和散热管理，适用于多种工业和消费类电子设备。
NDB508BE 还具有较强的抗过载能力，在短时过载条件下仍能保持正常运行。其设计符合 RoHS 环保标准，适合绿色电子产品的制造需求。此外，该 MOSFET 在开关过程中表现出较低的电磁干扰（EMI），有助于简化电路设计并提高系统的稳定性。
NDB508BE 常用于电源开关、DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器、电机控制电路、照明控制系统以及各种工业自动化设备中的功率控制模块。其高压、高效率特性也使其适用于消费类电子产品中的电源管理系统。
NDS508AN, IRF508APBF, STP50NF06, FDP5080
