NDB508B 时间：2025/8/25 4:24:44 阅读：7

NDB508B是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和开关电路中。这款MOSFET具有高效率和低导通电阻的特点，适用于需要高功率密度和低功耗设计的电子设备。

参数

类型：N沟道
　　最大漏极电流（ID）：8A
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω（典型值）
　　功率耗散（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220

特性

NDB508B具有低导通电阻（RDS(on)），可减少导通状态下的功率损耗，提高整体系统效率。
　　该器件的最大漏极电流为8A，支持较高的电流负载能力，适用于多种功率应用。
　　NDB508B的漏源电压（VDS）额定值为500V，使其能够在高压环境中稳定运行。
　　其栅源电压（VGS）允许范围为±20V，提供良好的栅极控制能力，并防止栅极电压过高导致的损坏。
　　该MOSFET采用TO-220封装，具有良好的散热性能，适用于需要高效散热的电路设计。
　　此外，NDB508B的工作温度范围较宽（-55°C至150°C），适合在各种环境条件下使用。

应用

NDB508B常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制、负载开关和继电器驱动电路等应用场景。
　　由于其高电压和高电流处理能力，该器件也适用于工业自动化设备和电源管理系统。
　　在消费类电子产品中，如电视电源和LED照明驱动电路，NDB508B也表现出优异的性能。
　　同时，该MOSFET还可用于逆变器和UPS（不间断电源）系统，确保电力系统的稳定运行。