类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：4.0A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：22mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻（Rds(on)）：30mΩ @ VGS=4.5V
　　栅极电荷（Qg）：11nC @ 10V
　　功率耗散（PD）：1.4W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TSOP-6

NDB410BL 的核心优势在于其低导通电阻和高效的开关性能。该器件采用先进的 Trench 技术，在保证高电流承载能力的同时，显著降低了导通损耗，从而提高了系统的整体效率。此外，其较小的栅极电荷（Qg）也使得开关过程更加迅速，从而降低了开关损耗。
　　NDB410BL 还具有良好的热稳定性和较高的耐用性，适用于高频率开关操作。该器件的栅极驱动电压兼容性较好，能够在 4.5V 至 10V 范围内有效工作，适合多种驱动电路设计。
　　其 TSOP-6 封装形式提供了较小的封装尺寸和良好的热管理性能，使得该器件能够在紧凑的 PCB 布局中使用，并具备良好的散热能力。这种封装形式也提高了器件在高频和高功率密度应用中的可靠性。

NDB410BL 主要用于各类功率管理电路中，特别是在需要高效率和紧凑设计的应用中表现出色。典型应用包括 DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电源管理单元（PMU）以及便携式电子设备中的电源控制电路。
　　在汽车电子系统中，该器件也可用于车载充电器、LED 驱动电路以及电机控制电路中，提供高效的功率开关解决方案。其高可靠性和良好的热性能也使其适用于工业控制、通信设备和消费类电子产品中的电源管理模块。
　　由于其低导通电阻和快速开关特性，NDB410BL 也常用于同步整流器设计中，以提升电源转换效率并减少发热，适用于开关电源（SMPS）和高效能电源适配器。

Si2302DS, FDS6675, NDS355AN, IRML2803