时间：2025/8/25 3:36:29
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NDB410B 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流能力，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电池供电设备等应用。NDB410B 采用 TO-252（DPAK）封装形式，便于在 PCB 上安装，并提供良好的散热性能。
类型: N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（Id）: 8.5 A
最大漏-源电压（Vds）: 60 V
最大栅-源电压（Vgs）: ±20 V
导通电阻（Rds(on)）: 0.045 Ω @ Vgs = 10 V
导通电阻温度系数: 正相关
栅极电荷（Qg）: 27 nC @ 10 V
工作温度范围: -55°C 至 175°C
NDB410B 具备多项优异的电气和热性能，适用于高效率功率转换应用。
首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保在导通状态下损耗极低，有助于提高能效并减少发热。在 Vgs = 10 V 时，Rds(on) 仅为 0.045 Ω，使其适用于高电流应用场景。
其次，该 MOSFET 的最大漏极电流为 8.5 A，漏-源电压额定值为 60 V，使其适用于中等功率的开关和 DC-DC 转换器应用。此外，±20 V 的栅极电压耐受能力提供了更高的可靠性，允许在不同驱动条件下安全运行。
该器件的栅极电荷（Qg）为 27 nC，在高频开关应用中表现出良好的动态性能，有助于减少开关损耗并提升整体系统效率。同时，其 TO-252（DPAK）封装具备良好的散热能力，可在较高工作温度下稳定运行，适应工业级温度范围（-55°C 至 175°C）。
由于其出色的热管理和电气特性，NDB410B 可广泛用于电源管理系统、负载开关、电机驱动器和电池供电设备中。
NDB410B 主要用于需要高效率和高可靠性的功率电子设备中。典型应用包括同步整流器、DC-DC 降压/升压转换器、负载开关、电机控制电路、电池管理系统（BMS）以及工业自动化和电源管理模块。其低导通电阻和高电流能力也使其适用于便携式电子产品中的功率控制电路。
FDP410N, IRFZ44N, FQP410N, NDS410B
