类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大漏极电流（Id）：7A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大为0.22Ω（典型值可能更低）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：1V至2.5V
　　最大功耗（Pd）：1.25W（取决于封装）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220、DFN等

WSF07N10是一款性能优异的功率MOSFET，具有多项关键特性，使其在电源管理和高效率转换应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保在导通状态下功耗最小，从而提高整体系统效率。其次，该器件的高漏源击穿电压（100V）允许其在较高电压环境下稳定运行，适用于多种DC-DC转换器、电机驱动和电池管理系统。
　　此外，WSF07N10具备快速开关能力，减少了开关过程中的能量损耗，提升了高频应用中的性能表现。其栅极阈值电压范围合理（1V至2.5V），兼容常见的驱动电路，如微控制器和专用MOSFET驱动IC。同时，器件的热阻较低，有助于在高负载条件下保持良好的热稳定性，延长使用寿命。
　　该MOSFET还具有良好的抗雪崩能力和过载保护特性，能够在异常工况下维持稳定运行。其封装形式（如TO-220）便于散热和安装，适用于多种工业和消费类电子产品。

WSF07N10适用于多种功率电子系统，特别是在需要高效率、小体积和良好热性能的场合。典型应用包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC升压/降压转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、LED照明驱动器以及工业自动化控制系统中的功率开关模块。由于其良好的开关特性和低导通电阻，WSF07N10也常用于同步整流电路和功率因数校正（PFC）模块。

Si2302DS, AO3400, IRFZ44N, FDS6675, FQPF10N20