ND411632 时间：2025/8/7 4:02:07 阅读：32

ND411632是一款由Nexperia（安世半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于高电流开关应用。该器件具有低导通电阻、高功率密度和优异的热性能，适用于DC-DC转换器、电源管理和负载开关等场景。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：160A（在Tc=25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：2.7mΩ（典型值）
　　封装形式：LFPAK56（5661）
　　工作温度范围：-55°C至175°C

特性

ND411632采用了先进的沟槽技术，具有极低的导通电阻和优异的开关性能。该器件在高温环境下依然保持稳定的工作特性，同时具备较高的耐用性和可靠性。LFPAK56封装设计提供了良好的热管理性能，减少了PCB上的空间占用，并提高了电流承载能力。此外，该MOSFET具有较低的开关损耗，能够显著提升系统效率，适用于高频率开关操作。其无铅封装也符合RoHS环保标准，满足现代电子制造的环保要求。
　　该器件的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，简化了与控制器或驱动IC的接口设计。同时，器件内部具备一定的雪崩能量耐受能力，提高了系统在极端条件下的稳定性。ND411632还具有良好的抗过载和短路保护能力，确保在复杂工况下的安全运行。
　　由于其优异的性能指标，ND411632被广泛应用于服务器电源、通信设备、电动汽车和工业控制系统等领域。其高可靠性设计也使其成为汽车电子系统中关键电源管理模块的首选器件。