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F3F1D475A041 发布时间 时间:2025/5/24 19:09:14 查看 阅读:13

F3F1D475A041 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效能功率控制的场合。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著降低功耗并提升系统效率。
  这款功率MOSFET属于N沟道增强型器件,适用于高频开关应用,其卓越的电气性能使其成为众多工业及消费电子领域中的理想选择。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  持续漏极电流:40A
  导通电阻:4mΩ
  总栅极电荷:45nC
  输入电容:1200pF
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效减少导通损耗。
  2. 快速的开关速度,支持高频操作,有助于减小滤波器尺寸并提高效率。
  3. 高雪崩能量能力,确保在异常条件下具备更强的鲁棒性。
  4. 内置反向恢复二极管,适合同步整流和续流二极管的应用场景。
  5. 小巧的封装设计,便于PCB布局且节省空间。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅材料。

应用

1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
  2. DC-DC转换器的核心功率级组件。
  3. 电机驱动电路中的H桥或半桥配置。
  4. 工业自动化设备中的负载切换。
  5. 汽车电子系统的电池管理与保护。
  6. 充电器和适配器中的功率调节单元。

替代型号

F3F1D475A042, F3F1D476A041