时间：2025/7/16 16:50:54
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NCV87706DT50RKG 是一款基于硅 carbide (SiC) 技术的功率 MOSFET 芯片，专为高电压和高频应用设计。该器件采用 TO-247 封装形式，适用于汽车级和工业级应用场景，具有出色的热性能和电气特性。其耐压能力高达 1200V，并能提供低导通电阻以减少功率损耗，从而提高系统的整体效率。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：30A
导通电阻：50mΩ
栅极电荷：95nC
开关频率：高达 100kHz
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
NCV87706DT50RKG 的主要特点是采用了先进的 SiC 技术，使得其在高电压、高温条件下仍然能够保持优异的性能。此外，它具备低导通电阻和快速开关速度，有助于减少能量损耗并提升系统效率。
该器件还通过了 AEC-Q101 认证，确保其在恶劣环境下的可靠性和稳定性。同时，由于其宽禁带半导体材料的使用，它对高频应用非常友好，适合需要高效功率转换的场景。
NCV87706DT50RKG 广泛应用于电动汽车（EV）中的车载充电器（OBC）、DC-DC 转换器以及电机驱动系统中。此外，在太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和其他工业设备中也有广泛应用。它的高效率和耐用性使其成为现代电力电子设计的理想选择。
NCV87706DTP50RKG
STPSC30H12W
CSD19536KCS
