时间：2025/5/19 15:34:34
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NCV8461DR2G 是一款高压、高电流的 N 沟道功率 MOSFET，专为汽车电子应用设计。该器件采用了先进的功率半导体制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合用于负载开关、DC-DC 转换器、电机驱动和其他功率管理场景。
该器件具备出色的热性能和可靠性，能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行，同时符合 AEC-Q101 标准，确保其在汽车环境中的可靠性和耐用性。
型号：NCV8461DR2G
类型：N 沟道 MOSFET
VDS（漏源极电压）：60 V
RDS(on)（导通电阻）：5.3 mΩ（典型值，VGS = 10 V时）
ID（连续漏极电流）：71 A
VGS（栅源电压）：±20 V
功耗：209 W
封装：TO-263-3
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
NCV8461DR2G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (RDS(on))，从而降低了功率损耗并提升了效率。
2. 高额定电流能力，支持高达 71A 的连续漏极电流。
3. 快速开关速度，可有效减少开关损耗。
4. 符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车级应用。
5. 宽工作温度范围 (-55°C 到 +175°C)，适合极端环境下的使用。
6. 提供过热保护功能，提高了系统的安全性和稳定性。
7. 小型封装设计，节省 PCB 空间，便于集成到紧凑型设计中。
NCV8461DR2G 广泛应用于汽车电子系统和工业领域，主要包括：
1. 汽车电源管理系统，如 DC-DC 转换器和电池管理系统。
2. 汽车电机驱动，例如电动车窗、座椅调节和雨刷控制。
3. 高效负载开关，用于动态负载切换。
4. 工业设备中的功率转换和驱动电路。
5. 其他需要高压、大电流处理能力的场景，例如 LED 驱动和太阳能逆变器等。
NCV8460DR2G, IRFZ44N
