TGA4510是一款由TriQuint Semiconductor(现为Qorvo)制造的高功率放大器(HPA)模块,专为L波段和S波段的雷达、通信和测试设备应用设计。该模块集成了一个高线性度和高效率的GaAs FET功率放大器,能够在较宽的频率范围内提供稳定的性能。TGA4510采用了先进的封装技术,确保了高可靠性和长寿命,适用于军事和商业应用。
工作频率范围:1.2 GHz至2.8 GHz
输出功率:30 W(典型值)
增益:约60 dB
电源电压:+28 V
电流消耗:约1.2 A(静态电流)
工作温度范围:-55°C至+85°C
封装类型:陶瓷金属封装(Ceramic Metal Package)
输入/输出阻抗:50 Ω
回波损耗:>15 dB(典型)
谐波抑制:>25 dBc
三阶交调失真(IMD3):< -35 dBc
效率(PAE):>30%
热阻:约0.5°C/W
TGA4510具有宽频带操作能力,能够在1.2 GHz至2.8 GHz范围内提供稳定的高功率输出。其内部集成了输入和输出匹配电路,简化了外部设计并减少了外围元件的需求。该模块采用高线性度的GaAs FET技术,确保在复杂的调制信号下仍能保持优异的线性性能,减少了失真并提高了信号质量。TGA4510还具备良好的热管理和高可靠性设计,能够在极端环境条件下稳定工作。其陶瓷金属封装提供了优异的热传导性能,确保在高功率操作时仍能保持较低的温度,从而延长了器件的使用寿命。
此外,TGA4510在电源管理方面表现出色,具有较低的静态电流消耗,有助于降低整体系统功耗。其高增益特性(约60 dB)使得该模块能够用于多级放大系统中的末级放大器,从而简化系统设计并提高整体效率。该模块的高回波损耗和优异的阻抗匹配能力确保了良好的信号传输效率,减少了反射损耗。TGA4510还具备出色的谐波抑制能力,能够有效降低谐波干扰,确保系统符合严格的电磁兼容性(EMC)要求。
TGA4510广泛应用于L波段和S波段的雷达系统、通信基站、测试与测量设备、电子战系统以及工业和科学仪器。由于其高功率输出和优异的线性性能,该模块特别适合用于需要高精度和高稳定性的射频功率放大应用。
TGA4510-SM, TGA4512, TGA4514