时间：2025/5/10 12:05:41
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NCV8114ASN280T1G是一款专为汽车应用设计的N沟道功率MOSFET，采用TO-263封装形式。该器件具有低导通电阻和高电流处理能力，非常适合用于车载电子系统中的负载开关、电机驱动以及DC-DC转换等场景。由于其符合AEC-Q101标准，因此能够在恶劣的工作环境下保持可靠性能。
最大漏源电压：40V
最大连续漏极电流：17A
导通电阻（典型值）：5.2mΩ
栅极阈值电压：2V~4V
工作结温范围：-40℃~175℃
封装类型：TO-263
NCV8114ASN280T1G具备出色的电气性能和可靠性。其超低的导通电阻可以显著降低功率损耗，从而提高系统的效率。同时，该器件具有快速开关速度，能够适应高频应用需求。此外，它还支持高温运行环境，确保在汽车应用中的长期稳定性。该芯片内置ESD保护功能，并通过了严格的车规级认证，适用于各种复杂工况下的高性能需求。
主要特点包括：
- 超低导通电阻以减少功耗
- 高雪崩能量能力，增强耐用性
- 支持宽范围的工作温度
- 符合AEC-Q101标准
- 快速开关性能
这款MOSFET广泛应用于汽车电子领域，例如发动机控制单元、变速箱控制模块、车身控制系统以及LED照明电路中。它可以作为高效开关元件，用在以下场景：
- 汽车电机驱动电路
- DC-DC转换器
- 负载开关
- 电池管理电路
- 照明驱动电路
此外，它也适合需要高可靠性和低功耗的工业应用场景。
NCV8114GTRKG
