NCV57200DR2G 时间：2025/7/29 18:27:37 阅读：5

NCV57200DR2G是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）设计的高精度、低压差线性稳压器（LDO）。该器件专为需要稳定输出电压、低噪声和高电源抑制比（PSRR）的应用而设计，适用于工业控制、汽车电子、通信设备及便携式设备等广泛领域。NCV57200DR2G采用先进的CMOS工艺制造，具有极低的静态电流和出色的负载与线路调节能力。该器件提供多种固定输出电压版本，用户可根据应用需求选择合适的型号。封装形式为SOIC-8，便于在PCB上布局和焊接。

参数

输出电压：1.2V至5.0V可选（固定输出）
　　输出电流：最大150mA
　　输入电压范围：2.2V至6.0V
　　压差电压：典型值为250mV（在150mA时）
　　静态电流：典型值为60μA
　　电源抑制比（PSRR）：在1kHz时为70dB
　　负载调节率：0.1%/A
　　线路调节率：0.03%/V
　　工作温度范围：-40°C至+125°C
　　封装类型：SOIC-8

特性

NCV57200DR2G具备多项优异特性，确保其在各种应用中稳定可靠地工作。首先，其低压差特性（典型值为250mV）使得在输入电压接近输出电压时仍能保持稳定输出，提高了系统效率并延长了电池寿命。其次，该器件具有极低的静态电流（典型值为60μA），非常适合对功耗要求严格的低功耗应用。此外，NCV57200DR2G具有出色的电源抑制比（PSRR），在1kHz时可达到70dB，有效抑制输入电压中的噪声和纹波，从而提供更干净的输出电压。
　　该LDO还具备良好的负载和线路调节能力，负载调节率为0.1%/A，线路调节率为0.03%/V，确保在负载或输入电压变化时输出电压保持高度稳定。NCV57200DR2G还集成了多种保护功能，包括过流保护、过温保护和反向电压保护，进一步增强了系统的可靠性和安全性。此外，该器件在宽输入电压范围（2.2V至6.0V）下工作，适用于多种电源架构和应用场景。
　　NCV57200DR2G的SOIC-8封装形式不仅便于焊接和布局，还提供了良好的热性能，确保在较高负载条件下也能有效散热。这些特性使得NCV57200DR2G成为工业控制、汽车电子、精密传感器、射频模块和便携式设备等应用的理想选择。

应用

NCV57200DR2G广泛应用于需要高稳定性和低噪声的电子系统中。常见的应用包括汽车电子中的传感器供电、车载信息娱乐系统、车身控制模块；工业自动化设备中的PLC、数据采集系统和精密测量仪器；通信设备如无线基站、射频模块和网络接口卡；以及便携式设备如智能穿戴、手持测试仪器和电池供电系统。此外，该器件也非常适合用于为低功耗微控制器、ADC/DAC转换器和音频放大器等敏感电路提供稳定电源。