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NCV51200MNTXG 发布时间 时间:2025/5/23 1:36:40 查看 阅读:17

NCV51200MNTXG是一款专为汽车级应用设计的N沟道功率MOSFET。该器件采用SOIC-8封装,具有低导通电阻和快速开关特性,适合于需要高效能和高可靠性的车载电子系统。
  该器件能够承受较高的电压和电流负载,同时具备出色的热稳定性和抗干扰能力。其主要应用于汽车中的电源管理、电机驱动和负载切换等场景。

参数

最大漏源电压:60V
  最大连续漏极电流:3.9A
  导通电阻(典型值):45mΩ
  栅极电荷:7nC
  工作温度范围:-40℃至175℃
  封装类型:SOIC-8

特性

NCV51200MNTXG具有以下显著特点:
  1. 符合AEC-Q101标准,确保在极端环境下的可靠性。
  2. 低导通电阻有效降低功耗,提高效率。
  3. 快速开关性能减少开关损耗,提升动态响应速度。
  4. 耐热增强型封装,适用于高温环境。
  5. 提供反向极性保护功能,防止电路误操作导致损坏。
  6. 高雪崩能量能力,增强器件对瞬态电压的耐受力。

应用

该芯片广泛用于汽车电子领域,包括但不限于以下应用:
  1. 汽车电动窗、座椅调节和雨刮器的电机驱动。
  2. 车载信息娱乐系统的电源管理模块。
  3. 发动机控制单元(ECU)中的负载开关。
  4. LED照明系统的恒流驱动。
  5. 各类继电器和电磁阀的控制电路。
  由于其高可靠性和宽温度范围,NCV51200MNTXG非常适合要求苛刻的汽车工况。

替代型号

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NCV51200MNTXG参数

  • 现有数量981现货
  • 价格1 : ¥10.81000剪切带(CT)3,000 : ¥4.57159卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 应用LDO(线性),DDR
  • 电压 - 输入1.1V ~ 3.5V
  • 输出数1
  • 电压 - 输出-
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳10-VFDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装10-DFN(3x3)