时间：2025/12/29 13:17:07
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K2996是一款由日本东芝公司（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件采用高密度单元设计，具有较低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗并提高效率。K2996通常用于DC-DC转换器、电机控制、电池供电设备以及各种电源开关应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：15A（在Tc=25℃时）
功耗（Pd）：100W
工作温度范围：-55℃至150℃
存储温度范围：-55℃至150℃
封装形式：TO-220
导通电阻（Rds(on)）：最大0.034Ω（在Vgs=10V时）
栅极电荷（Qg）：26nC（典型值）
输入电容（Ciss）：1100pF（典型值）
K2996的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高整体效率。此外，它具有较高的电流承载能力，可在15A的连续漏极电流下运行，适合高功率应用。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持±20V，这使其在不同的驱动条件下都能保持良好的性能。
K2996采用TO-220封装，具有良好的散热性能，适用于需要高可靠性和稳定性的应用场合。其高密度单元设计不仅提高了器件的性能，还减少了封装尺寸，使该MOSFET在空间受限的设计中也具有良好的适应性。
此外，K2996具有较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），这有助于减少开关损耗并提高开关速度，从而在高频开关应用中表现出色。这使其非常适合用于开关电源（SMPS）、电机驱动器和负载开关等场合。
该MOSFET的工作温度范围宽，从-55℃到150℃，保证了其在极端环境下的稳定运行。其存储温度范围同样宽泛，使其在各种工业和汽车应用中具有较高的适应性。
K2996广泛应用于多种电力电子系统中，包括但不限于以下领域：
1. **电源管理**：在开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC适配器中作为主开关器件，提供高效能的电能转换。
2. **电机控制**：用于电机驱动电路，控制直流电机或步进电机的运行，特别适用于需要高速开关和高电流的应用。
3. **电池供电设备**：如便携式电子产品、电动工具和电动车系统中，用于电池充放电管理及负载开关控制。
4. **工业控制系统**：在工业自动化设备中，用于控制继电器、电磁阀、执行器等负载的开关操作。
5. **汽车电子**：用于车载电源系统、车载充电器和车身控制系统，满足汽车电子对高可靠性和宽温度范围的要求。
6. **负载开关**：在各种负载管理电路中用作电子开关，实现对负载的快速、精确控制。
TK2996N10M,TN070N60KZ
