NCV4275CDT33RKG 是一款基于 N沟道增强型 MOSFET 的高侧开关芯片,专为汽车级应用设计。该器件采用 D2PAK 封装(TO-263),具有低导通电阻和快速开关特性,适合用于负载切换、电机驱动以及需要高性能功率管理的应用场景。
这款芯片由 ON Semiconductor(安森美)生产,具备出色的耐用性和可靠性,并通过了 AEC-Q100 标准认证,确保在恶劣环境下的稳定运行。
型号:NCV4275CDT33RKG
封装:D2PAK (TO-263)
VDS(漏源极电压):40V
RDS(on)(导通电阻):33mΩ(典型值,在 VGS=10V 时)
连续漏极电流 ID:40A
栅极电荷 Qg:32nC(典型值)
功耗:10W(最大值)
工作温度范围:-40°C 至 +1751500VRMS
NCV4275CDT33RKG 具备以下关键特性:
1. 高效的导通性能:其 33mΩ 的低导通电阻显著降低了功率损耗,提高了系统效率。
2. 快速开关能力:得益于较低的栅极电荷和优化的内部结构,可以实现更快的开关速度,从而减少电磁干扰(EMI)。
3. 热稳定性:该器件的工作温度范围广泛(-40°C 至 +175°C),能够适应极端温度条件下的操作需求。
4. 汽车级可靠性:通过了 AEC-Q100 认证,保证了长期使用中的稳定性和耐用性。
5. 高电流承载能力:支持高达 40A 的连续漏极电流,适用于大功率应用。
6. 紧凑型封装:采用 D2PAK 封装,节省空间并提供良好的散热性能。
NCV4275CDT33RKG 广泛应用于以下领域:
1. 汽车电子:包括车身控制模块(BCM)、座椅调节系统、雨刷控制器和灯光控制等。
2. 工业自动化:如电机驱动器、继电器替代方案及工业电源管理。
3. 消费类电子产品:适用于需要高效功率开关的家用电器。
4. 通信设备:可用于基站电源和其他通信基础设施中的负载切换。
5. 医疗设备:用作泵驱动或电池管理系统中的功率开关组件。
NCV4275BDT3G, NCV4275CDT3G