STGAP2SMTR是由意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能、双通道、高/低端栅极驱动器芯片。该芯片专为驱动高功率的MOSFET和IGBT器件而设计,适用于电机控制、功率转换、工业自动化和电动汽车等领域。STGAP2SMTR采用了先进的制造工艺,具有高集成度、高可靠性和宽工作电压范围的特点,能够满足高要求的工业和汽车应用需求。
工作电压:8V至35V
输出电流(峰值):高端/低端各4A
输入逻辑电压范围:3.3V至5V兼容
工作温度范围:-40°C至125°C
封装形式:16引脚SOIC
隔离电压:1500Vrms(通过安全绝缘)
驱动器类型:双通道高端/低端栅极驱动器
短路保护:支持
过热保护:支持
欠压锁定(UVLO):支持
传播延迟:最大130ns
STGAP2SMTR具备多项先进特性,能够显著提高系统效率和稳定性。首先,其双通道结构允许同时驱动两个独立的功率开关器件,适用于半桥或H桥拓扑结构。其次,芯片内部集成了高端和低端驱动器,简化了外部电路设计,并减少了PCB布局的复杂性。
此外,STGAP2SMTR支持宽输入电压范围(8V至35V),适用于多种功率应用场景,包括DC-DC转换器、电机驱动器和逆变器。其高输出电流能力(峰值4A)确保了对高栅极电荷功率器件的快速、高效驱动,降低了开关损耗。
STGAP2SMTR广泛应用于需要高效驱动高功率MOSFET或IGBT的场合,例如工业电机控制、伺服驱动器、电动汽车充电系统、太阳能逆变器、UPS不间断电源、电池管理系统(BMS)以及各类功率转换设备。由于其高可靠性和多种集成保护功能,特别适合用于对系统稳定性和安全性要求较高的工业和汽车应用。
IR2110, TC4420, UCC27531, L6384E