时间：2025/5/8 16:16:40
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NCV4266-2CST50T3G是一款专为汽车电子应用设计的双路N沟道MOSFET功率开关，由ON Semiconductor（安森美半导体）制造。该器件采用CST50封装形式，适用于需要高可靠性和高效能的场景。它具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能等特性，适合用于负载开关、电机驱动、电源管理以及电池保护等应用领域。
这款芯片特别针对汽车级环境进行了优化，能够在宽温度范围和恶劣条件下保持稳定工作，符合AEC-Q100标准要求。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±12V
连续漏极电流：28A
导通电阻（Rds(on)）：1.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗：75W
工作温度范围：-40℃至175℃
封装形式：CST50T3G
NCV4266-2CST50T3G的主要特点是其卓越的电气性能和可靠性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低传导损耗并提高效率。
2. 快速开关能力，支持高频操作，减少电磁干扰（EMI）问题。
3. 内置ESD保护功能，增强了芯片对静电放电的耐受能力。
4. 高温适应性，能够在高达175℃的工作温度下正常运行，满足汽车环境中极端条件的需求。
5. 符合RoHS标准，环保且无铅。
6. 支持大电流负载，适合驱动多种类型的负载，例如直流电机或LED阵列。
NCV4266-2CST50T3G广泛应用于汽车电子系统和其他工业控制领域，具体包括：
1. 汽车电动助力转向系统（EPS）中的电机驱动。
2. 车载信息娱乐系统的电源管理模块。
3. 电动车窗、座椅调节和雨刷器的控制电路。
4. 电池管理系统（BMS）中的充放电保护和均衡功能。
5. 工业自动化设备中的负载切换和电源分配。
6. LED照明驱动，尤其是需要高功率输出的应用场景。
NCV4266G-2CST50T3G
