NCSR300FR002DTRGF 是 Vishay Siliconix 推出的一款高功率、低电阻的表面贴装式功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术,提供了优异的导通性能和热稳定性,适用于高功率密度和高效率的电源管理系统。这款 MOSFET 具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压和高电流承载能力,适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电池管理系统等应用。其采用 8-PowerPAK 封装,具有优异的散热性能,能够在高温环境下稳定运行。
类型:功率 MOSFET
结构:N 沟道
漏源电压(Vds):30 V
栅源电压(Vgs):±20 V
连续漏极电流(Id):240 A(在 Tc=25°C)
导通电阻(Rds(on)):0.2 mΩ(最大值,Vgs=10 V)
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装:PowerPAK 8x8 mm
功率耗散(Pd):270 W
NCSR300FR002DTRGF 的核心特性在于其极低的导通电阻(Rds(on)),在 10 V 栅极驱动下仅为 0.2 mΩ,这极大地降低了导通损耗,提高了系统效率。
该器件采用了先进的沟槽型 MOSFET 技术,优化了载流子分布,从而在高电流下仍能保持良好的导通性能和热稳定性。
其高电流承载能力(高达 240 A)使其适用于高功率密度应用,如服务器电源、电信设备、工业自动化和电动车电驱系统。
此外,该 MOSFET 在高温环境下仍能保持稳定的性能,得益于其出色的热管理设计和高功率耗散能力(270 W)。
PowerPAK 8x8 mm 封装不仅提供了良好的散热路径,还支持表面贴装工艺,简化了 PCB 布局并提高了制造效率。
器件具备良好的雪崩能量耐受能力,增强了在高应力工作条件下的可靠性。
综合来看,NCSR300FR002DTRGF 是一款高性能、高可靠性的功率 MOSFET,适用于对效率、功率密度和热管理要求严苛的应用场景。
NCSR300FR002DTRGF 广泛应用于各类高功率电子系统中,特别是在需要高效率和低导通损耗的场合。例如,在服务器和电信设备的电源系统中,它被用于同步整流、DC-DC 转换器和负载开关,以提高电源转换效率并减少热量产生。
在工业自动化系统中,该器件可用于电机驱动、电源管理和功率控制模块。
此外,它也适用于电动车的电池管理系统(BMS)和车载充电器(OBC),在这些应用中,其高电流能力和热稳定性确保了系统的安全和高效运行。
由于其优异的导通性能和封装散热设计,NCSR300FR002DTRGF 还可应用于高功率 LED 驱动器、不间断电源(UPS)以及太阳能逆变器等绿色能源设备中。
总之,该 MOSFET 是高性能功率管理解决方案的理想选择。
SiZ340DT, SQJQ160EP, NCP3020