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NCP1380BDR2G 发布时间 时间:2025/4/30 20:24:50 查看 阅读:14

NCP1380BDR2G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的高性能、高效率的同步整流降压转换器。该芯片集成了一个高端和低端MOSFET,能够提供高达 2A 的连续输出电流,适用于需要高效电源管理的便携式设备和其他低功耗应用。其工作输入电压范围为 4.5V 至 28V,能够适应多种电源场景。
  该芯片采用固定频率 PWM 控制方式,并且具备快速瞬态响应能力。它还具有丰富的保护功能,例如过温保护、短路保护以及过载保护等,确保在各种条件下的安全稳定运行。

参数

输入电压范围:4.5V 至 28V
  输出电流:2A(连续)
  开关频率:可调(典型值为 600kHz)
  封装类型:SOIC-8
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  待机电流:小于 2μA
  效率:高达 95%
  启动时间:典型值 1ms

特性

NCP1380BDR2G 具备以下显著特性:
  1. 内置 MOSFET,减少了外部元件数量并简化了设计流程。
  2. 支持宽泛的输入电压范围,适应不同电源环境。
  3. 高达 95% 的转换效率,有助于延长电池寿命或减少散热需求。
  4. 快速负载瞬态响应,保证输出电压的稳定性。
  5. 多种保护机制,包括过温保护、短路保护和过载保护,增强了系统的可靠性。
  6. 超低待机功耗,非常适合电池供电的应用场景。
  7. 可调节开关频率,方便优化电磁干扰性能。
  8. 小型 SOIC-8 封装,节省 PCB 空间。

应用

NCP1380BDR2G 主要应用于以下领域:
  1. 消费电子类产品,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑适配器等。
  2. 工业控制设备中的电源模块。
  3. POS 机、扫描仪以及其他便携式终端设备。
  4. LED 照明驱动电路。
  5. 医疗设备的电源解决方案。
  6. 通信设备中的辅助电源部分。
  其高效率、小尺寸和多功能保护的特点使得该芯片成为这些应用的理想选择。

替代型号

NCP1380BDT2G, NCP1380BDR2G-G

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NCP1380BDR2G参数

  • 标准包装2,500
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器
  • 系列-
  • PWM 型电流模式
  • 输出数1
  • 频率 - 最大-
  • 占空比-
  • 电源电压9 V ~ 28 V
  • 降压
  • 升压
  • 回扫
  • 反相
  • 倍增器
  • 除法器
  • Cuk
  • 隔离
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NCP1380BDR2G-NDNCP1380BDR2GOSTR