时间：2025/8/29 15:45:51
阅读：4
QTLP2823GR是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）推出的双通道N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的Trench沟槽技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高功率密度，适用于高效率电源转换系统。该器件采用1.5kV隔离式DFN5x6封装，具备良好的热性能和电气性能，广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统和工业控制设备中。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：40A（在TC=25°C）
导通电阻（RDS(on)）：最大8.0mΩ（VGS=10V时）
功率耗散（PD）：70W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：DFN5x6
QTLP2823GR采用了先进的Trench沟槽MOSFET技术，具有非常低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。该器件的双通道结构使其适用于同步整流、H桥驱动等需要高电流能力的应用场景。DFN5x6封装不仅体积小巧，还具备良好的热管理性能，有助于在高功率密度设计中实现更紧凑的布局。
该MOSFET具备高雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定运行，提高了系统的可靠性。此外，其±20V的栅极电压耐受能力使得在高侧驱动应用中不易受到栅极电压尖峰的影响。QTLP2823GR还具有快速开关特性，降低了开关损耗，适用于高频开关电源设计。
由于其封装带有1.5kV的电气隔离，该器件在使用过程中可以有效隔离高电压部分与PCB板的其他电路，提升安全性。这种特性使其特别适用于需要符合严格安规标准的工业和通信电源系统。
QTLP2823GR适用于多种高功率和高效率的电源管理系统。常见应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（如BMS）、服务器电源、通信设备电源模块、电机驱动电路以及工业自动化控制系统等。其优异的导通特性和高可靠性也使其在新能源汽车、储能系统和工业电源模块中得到广泛应用。
SiR862ADP, SQJA40EP, IPB045N03L09ATMA1
