NCP1230D6是安森美半导体(ON Semiconductor)推出的一款高性能电流模式PWM控制器芯片,广泛应用于离线式反激变换器(Flyback Converter)设计中。该器件集成了高压启动电路、精确的电流检测功能以及多种保护机制,适用于小功率电源适配器、电池充电器、LED驱动器等应用。NCP1230D6采用6引脚SOT-223封装,具备高集成度和低功耗的特点,可有效简化电源设计并提升系统稳定性。
工作电压范围:8.5V ~ 28V
最大输出频率:100kHz
启动电流:典型值为15μA
工作温度范围:-40°C ~ +125°C
封装类型:SOT-223
最大占空比:67%
过压保护阈值:30V(典型值)
欠压锁定(UVLO)阈值:8.5V(启动),7.5V(关闭)
NCP1230D6具有多项优异的性能特点。首先,其内部集成了高压启动电路,能够在启动阶段提供稳定的电流,从而减少外围元件数量并提高系统可靠性。其次,该芯片采用电流模式控制架构,能够实现快速的瞬态响应和良好的线性调节能力,适用于宽输入电压范围的应用场景。
此外,NCP1230D6具备多种保护功能,包括过流保护(OCP)、过压保护(OVP)、欠压锁定(UVLO)和过温保护(OTP),有效提升电源系统的安全性和稳定性。芯片还内置前沿消隐(Leading Edge Blanking)功能,可防止电流检测信号的误触发,提高抗干扰能力。
该器件的典型工作频率为100kHz,支持轻载模式以降低空载功耗,适用于节能型电源设计。NCP1230D6的SOT-223封装形式具有良好的散热性能,适用于紧凑型PCB布局。
NCP1230D6广泛应用于各类小功率AC/DC电源转换器设计中,如USB充电器、LED照明驱动电源、智能家居设备电源、安防监控设备适配器等。由于其具备高集成度、低功耗和良好的保护性能,也适用于需要高可靠性的工业控制设备和消费类电子产品。在设计中,该芯片通常用于构建反激式拓扑结构的电源系统,能够满足IEC 61000-6-3等电磁兼容性(EMC)标准,适用于全球范围内的输入电压范围(85VAC ~ 265VAC)。
NCP1230D65R2G, NCP1230D6R2G, NCP1230ASN150R2G