时间：2025/3/24 11:39:08
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HMK105B7472MVHFE 是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等优点。其封装形式为表面贴装型，适合高密度组装应用。
型号：HMK105B7472MVHFE
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：70V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：60A
导通电阻(Rds(on))：1.8mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：310W
工作温度范围(Ta)：-55°C to +175°C
封装：TO-247-3L
1. 极低的导通电阻，可以显著降低传导损耗。
2. 高速开关性能，支持高频操作。
3. 强大的电流承载能力，适用于大功率应用。
4. 内置反向二极管，优化续流路径。
5. 出色的热稳定性和可靠性，能够在极端温度条件下工作。
6. 符合RoHS标准，环保设计。
7. 支持表面贴装技术(SMT)，简化生产和组装流程。
1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动和控制电路中的电子开关。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的关键组件。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 汽车电子系统的功率管理模块。
6. 高效节能的家电产品中的主功率级元件。
HMK105B7472MVHFQ, HMK105B7472MVHFP
