NCP1031DR2G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)设计的高性能、低成本离线式开关电源控制器。该芯片主要用于反激式拓扑结构,适用于小功率适配器和充电器应用。它内置了高压启动电路和多种保护功能,可显著简化系统设计并提高可靠性。
该芯片采用固定频率电流模式控制方式,具备逐周期限流保护和跳周期模式以优化轻载效率。此外,NCP1031DR2G 内置了多种智能特性,例如软启动、过温保护、输出短路保护等,使其非常适合对成本敏感且需要高效率的消费类电子产品。
工作电压:175V~800V
开关频率:65kHz
待机功耗:<50mW
输出电流限制:1A
封装形式:SOIC-8
工作温度范围:-40℃~150℃
最小导通时间:1.8μs
最大占空比:50%
NCP1031DR2G 的主要特性包括以下几点:
1. 高压集成工艺支持宽输入电压范围,减少外部元件数量。
2. 固定频率电流模式控制,提供稳定的性能和快速瞬态响应。
3. 通过跳周期模式实现高效的轻载运行,满足国际能效标准。
4. 内置多种保护功能,如过温保护(OTP)、输出短路保护(OLP)、逐周期限流保护(OCP)以及输入欠压锁定(UVLO)。
5. 软启动功能可降低启动时的浪涌电流,从而保护电路。
6. 封装紧凑,便于小型化设计,并具有良好的散热性能。
7. 支持谷底同步技术,进一步提升效率。
NCP1031DR2G 广泛应用于以下领域:
1. 手机充电器及 USB 充电器
2. 笔记本电脑适配器
3. LED 驱动电源
4. 小型家电供电模块
5. 电池充电管理系统
6. 通信设备中的辅助电源
其高效能表现和紧凑设计特别适合便携式设备和对空间要求严格的场景。
NCP1034DTR2G, NCP1032DG2