时间：2025/9/3 20:24:30
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NCEP40T13GU 是一款由纳芯微电子（NOVOSENSE）推出的高性能、高集成度的功率 MOSFET 器件。该器件采用先进的沟槽式功率 MOS 技术制造，具备低导通电阻、高开关速度和高可靠性的特点，适用于各种中高功率应用场合，如电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器、负载开关以及电池管理系统等。NCEP40T13GU 为 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-252（DPAK）封装形式，便于散热和安装。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：40V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：75A（Tc=25℃）
导通电阻（RDS(on)）：1.3mΩ（典型值）
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-252（DPAK）
功率耗散（PD）：100W
NCEP40T13GU 的核心优势在于其极低的导通电阻（RDS(on)），典型值仅为 1.3mΩ，这有助于显著降低在高电流应用中的导通损耗，提高整体系统的能效。
该器件采用了先进的沟槽式 MOS 工艺，优化了开关性能，具有快速的开关响应能力，适用于高频开关电源设计。
其 TO-252（DPAK）封装形式不仅具备良好的热性能，有助于散热，而且便于在 PCB 上安装和焊接，提高了装配效率。
NCEP40T13GU 还具备较高的热稳定性与耐久性，在高温环境下仍能保持稳定工作，适用于对可靠性要求较高的工业级应用场合。
此外，该 MOSFET 具备较强的抗雪崩击穿能力，增强了在瞬态过压和感性负载切换时的稳定性与安全性，适用于电机驱动和电源开关等场景。
NCEP40T13GU 广泛应用于多个领域，包括但不限于：电源管理系统，如同步整流、DC-DC 转换器、负载开关和电池充电器；电机驱动电路，适用于工业自动化和电动工具；新能源系统，如储能设备、太阳能逆变器及电动汽车相关电源模块；以及各类需要高效率、高电流能力的功率开关电路。
由于其高集成度和优异的热性能，该器件也常用于需要紧凑设计和高效散热的嵌入式系统和模块化电源解决方案中。
SiSS742DN-T1-GE3, Nexperia PSMN2R0-40YLC, Infineon BSC010N04LS5
