时间：2025/9/3 12:22:59
阅读：5
XPC7455RX1000SC 是一款由 NXP（恩智浦）公司推出的高性能射频功率晶体管（RF Power Transistor），采用 LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术制造。该器件主要用于高功率射频放大器应用，适用于通信基站、工业加热设备和射频测试仪器等领域。XPC7455RX1000SC 提供了出色的功率增益和效率，能够在高频率范围内稳定工作。
频率范围：1.8 GHz - 2.7 GHz
工作电压：28 V
输出功率：1000 W（典型值）
增益：20 dB（典型值）
效率：40% 以上
封装类型：螺栓型（Bolt-on）
热阻：0.15°C/W
工作温度范围：-65°C 至 +150°C
XPC7455RX1000SC 是一款专为高功率射频应用设计的LDMOS晶体管，具备卓越的性能和可靠性。其频率范围覆盖1.8 GHz至2.7 GHz，适用于多种通信标准，包括4G LTE和WiMAX等。在28V的工作电压下，该器件可提供高达1000W的输出功率，增益典型值为20dB，表现出色的信号放大能力。
该晶体管具有较高的效率，通常超过40%，有助于降低功耗和散热需求，从而提高系统的整体能效。同时，其热阻为0.15°C/W，意味着其具有良好的热传导性能，能够有效散发工作过程中产生的热量，确保器件在高负载下仍能保持稳定运行。
该器件采用螺栓型封装，便于安装和散热管理，适合在高功率密度和高温环境中使用。此外，其工作温度范围为-65°C至+150°C，使其在各种极端环境下都能保持可靠的性能。
由于其优异的性能指标，XPC7455RX1000SC常用于通信基础设施中的高功率放大器、工业射频加热设备以及测试和测量仪器等应用中。
XPC7455RX1000SC 主要应用于高功率射频放大器系统，特别是在通信基础设施中，如4G/5G基站、WiMAX基站和广播发射机等。此外，它还适用于工业和科学设备中的射频能量应用，如射频加热、等离子体发生器以及射频测试设备中的高功率信号源。其高可靠性和稳定性也使其成为雷达系统和军事通信设备中的理想选择。
NXP XPC7455RX1000C, NXP XPC7455R1000C, Freescale MRFE6VP61K25H
